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            硅單晶定向材料晶片的定向原理

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            硅單晶定向材料晶片的定向原理

            發布日期:2021-11-08 00:00 來源:http://www.rasipsocial.com 點擊:

              在用這些硅單晶定向晶體的晶片做外延生長時,在不同的晶向上外延沉積的速率是不同的。因此,正晶向生長的晶體在用戶做外都要求晶片偏向鄰近晶面某一角度,以保證在同樣生長條件下外延沉積速率較快,并且外延層的表面質量也較好。

            晶體定向的方法很多, 下面僅介紹我單位所用的 YX -Ⅱ型X射線衍射儀的定向方法。YX -Ⅱ型定向儀只能做一維旋轉, 它特別適用于已知晶向的定向。

              把單晶材料晶片的定向原理應用到生產中, 就是使定向儀與切片機密切配合, 從而切割出合乎要求的晶片。生產的YX-Ⅱ型定向儀, 切片機為瑞士切片機, 切割材料為 Si、GaAs、GaP。由于切片機有兩個可調整切片角度的刻度盤, 一為水平旋轉, 一為垂直旋轉。

              通過以上的測量和計算, 我們就得出了晶向在水平和垂直方向的偏移角 A和 B的值以及校正的旋轉方向。在切片機上按所得結果設定導軌左右和上下偏轉的角度, 即可得到正晶向的晶片。定出了正晶向, 根據單晶的晶體結構再偏轉, 就可切出向其它晶向偏轉的晶片。目前, 通過大批量的加工, 我們已熟練地掌握了這一技術。切割精度達到 5′以內。

              擬定探傷輻射事端應急預案,預案中應包含事端預防辦法、發作事端后的處理辦法和事端陳述程序等內容。發作或發現輻射事端后,事端單位應依據法規需求,當即向使用地環境保護行政主管部門、衛生行政主管部門陳述。


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